La tecnología modificada de doble patrón de Samsung, crea un hito al permitir la producción de DDR de 20nm utilizando equipamiento actual de litografía y estableciendo la tecnología core para la próxima generación de memorias RAM de próxima generación de 10 nanómetros. Samsung ha creado también capacitadores de celdas dieléctricas ultrafinas con una homogeneidad sin precedentes, lo que da como resultado celdas con un mayor rendimiento.

Con la nueva DRAM DDR3 de 20nm, Samsung también ha mejorado la productividad de fabricación, que es un 30% mayor que la anterior DDR de 25 nanómetro, y más del doble que las DDR de 30 nm.

Ahorro de energía

Además, los nuevos módulos basados en DDR3 4G 20nm, pueden ahorrar hasta el 25% de energía consumida por módulos equivalente fabricados utilizando la anterior tecnología de procesos de 25 nanómetros. Esta mejora proporciona las bases para la entrega de las soluciones de Green IT más avanzadas para las compañías a nivel global.

De acuerdo con los estudios de Gartner, el mercado global de memorias DRAM crecerá desde 35.000 millones de dólares hasta unos 38.000 millones en 2014.